DMP32D9UFZ-7B
MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2273498-DMP32D9UFZ-7B
Производитель:
Номер детали производителя:
DMP32D9UFZ-7B
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 200mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X2-DFN0606-3 | |
| Базовый номер продукта | DMP32 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.35 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 22.5 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 390mW (Ta) | |
| Другие имена | DMP32D9UFZ-7BDIDKR DMP32D9UFZ-7BDITR DMP32D9UFZ-7BDICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP210DUFB4-7Diodes Incorporated
PMH1200UPEHNexperia USA Inc.
ALDP112Panasonic Electric Works
MMBZ5237BLT1Gonsemi
SI2319CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
DMN31D5UFZ-7BDiodes Incorporated- DMP22D4UFA-7BDiodes Incorporated
DMP32D5SFB-7BDiodes Incorporated
BD5230G-TRRohm Semiconductor
SIUD401ED-T1-GE3Vishay Siliconix- XP231P0201TR-GTorex Semiconductor Ltd
DMP2160UFDBQ-7Diodes Incorporated
RU1C002ZPTCLRohm Semiconductor
FMMT634TADiodes Incorporated
