DMN26D0UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2280944-DMN26D0UFB4-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN26D0UFB4-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X2-DFN1006-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN26 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 230mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 250µA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 14.1 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 350mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN26D0UFB4-7DICT DMN26D0UFB4-7DIDKR DMN26D0UFB47 DMN26D0UFB4-7DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MMBT3904LP-7Diodes Incorporated
NSR0620P2T5Gonsemi
NC7SZ38P5Xonsemi
BAS70W-05-7-FDiodes Incorporated
SN74LVC1T45DCKRTexas Instruments
NTJD4001NT1Gonsemi
FDV301Nonsemi
