NTNS3190NZT5G
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
НОВА часть #:
312-2272876-NTNS3190NZT5G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTNS3190NZT5G
Стандартный пакет:
8,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 224mA (Ta) 120mW (Ta) Surface Mount 3-XLLGA (0.62x0.62)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 3-XLLGA (0.62x0.62) | |
| Базовый номер продукта | NTNS3190 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 224mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-XFDFN | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 15.8 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 120mW (Ta) | |
| Другие имена | NTNS3190NZT5GOSDKR NTNS3190NZT5GOSCT NTNS3190NZT5GOSTR ONSONSNTNS3190NZT5G 2156-NTNS3190NZT5G-OS NTNS3190NZT5G-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NX3008NBKW,115Nexperia USA Inc.
NTNS0K8N021ZTCGonsemi
PMH550UNEHNexperia USA Inc.
NX3008NBK,215Nexperia USA Inc.
RV1C002UNT2CLRohm Semiconductor- NX138AKRNexperia USA Inc.
NTNS3C94NZT5Gonsemi- NTNS3193NZT5Gonsemi
DMN2990UFZ-7BDiodes Incorporated- DMN31D5UFZ-7BDiodes Incorporated
CSD13381F4Texas Instruments
RV3C002UNT2CLRohm Semiconductor
