SUM70030E-GE3
MOSFET N-CH 100V 150A TO263
НОВА часть #:
312-2288821-SUM70030E-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUM70030E-GE3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 (D²Pak) | |
| Базовый номер продукта | SUM70030 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 150A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.88mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 214 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10870 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | SUM70030E-GE3-ND SUM70030E-GE3CT SUM70030E-GE3DKR SUM70030E-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB020N10N5ATMA1Infineon Technologies
SQM120N10-3M8_GE3Vishay Siliconix- IPB020N10N5LFATMA1Infineon Technologies
CSD19535KTTTTexas Instruments
STH240N10F7-2STMicroelectronics- CSD19536KTTTexas Instruments
PSMN5R6-100BS,118Nexperia USA Inc.- SQM60030E_GE3Vishay Siliconix
FDB86363-F085onsemi- IPB033N10N5LFATMA1Infineon Technologies
- SUM60020E-GE3Vishay Siliconix
