PSMN5R6-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288836-PSMN5R6-100BS,118
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN5R6-100BS,118
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | PSMN5R6 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 141 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8061 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 306W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-7125-6 934066336118 568-9495-6-ND 568-9495-1 568-9495-2 1727-7125-1 1727-7125-2 PSMN5R6100BS118 568-9495-6 2156-PSMN5R6-100BS,118-NEX NEXNEXPSMN5R6-100BS,118 568-9495-2-ND 568-9495-1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFS4010TRLPBFInfineon Technologies
STH150N10F7-2STMicroelectronics
BUK768R1-100E,118Nexperia USA Inc.
SUM70030E-GE3Vishay Siliconix- BUK964R4-40B,118Nexperia USA Inc.
T521X336M050ATE050KEMET
PSMN7R0-100BS,118NXP Semiconductors
MCB130N10Y-TPMicro Commercial Co
AT24CS32-MAHM-TMicrochip Technology- BUK964R7-80E,118Nexperia USA Inc.
- T521X336M050ATE075KEMET
- IPB042N10N3GATMA1Infineon Technologies
