SQM60030E_GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288988-SQM60030E_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQM60030E_GE3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | SQM60030 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 12000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | SQM60030E_GE3DKR SQM60030E_GE3TR SQM60030E_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC040N08NS5ATMA1Infineon Technologies
SUM70030E-GE3Vishay Siliconix
SQJQ480E-T1_GE3Vishay Siliconix- SQM120N10-3M8_GE3Vishay Siliconix
IPB025N08N3GATMA1Infineon Technologies
SQJA78EP-T1_GE3Vishay Siliconix
CSD19535KTTTTexas Instruments
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJQ410EL-T1_GE3Vishay Siliconix