STH240N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
НОВА часть #:
312-2288878-STH240N10F7-2
Производитель:
Номер детали производителя:
STH240N10F7-2
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | H2Pak-2 | |
| Базовый номер продукта | STH240 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | STripFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 180A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11550 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) | |
| Другие имена | 497-15143-1 497-15143-2 -497-15143-6 -497-15143-1 -497-15143-2 STH240N10F7-2-ND 497-15143-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STH310N10F7-2STMicroelectronics- STH150N10F7-2STMicroelectronics
IPB020N10N5ATMA1Infineon Technologies
NSR0530HT1Gonsemi
SBRD10200TRSMC Diode Solutions
UA78M33CDCYRG3Texas Instruments
STH240N10F7-6STMicroelectronics
TPS2491DGSRTexas Instruments- TPS2490DGSRTexas Instruments
- STH315N10F7-2STMicroelectronics
- NCP1117LPST50T3Gonsemi
MCP6404T-E/SLMicrochip Technology
