FDB86363-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
НОВА часть #:
312-2290458-FDB86363-F085
Производитель:
Номер детали производителя:
FDB86363-F085
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | FDB86363 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 110A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10000 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) | |
| Другие имена | FDB86363_F085 FDB86363_F085CT FDB86363-F085TR FDB86363_F085TR-ND FDB86363-F085CT FDB86363_F085DKR FDB86363_F085CT-ND FDB86363_F085TR FDB86363_F085DKR-ND FDB86363-F085DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SUM70030E-GE3Vishay Siliconix
FDB86360-F085onsemi
IPB017N08N5ATMA1Infineon Technologies- IPB020N08N5ATMA1Infineon Technologies
