IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288053-IRF9Z34NSTRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF9Z34NSTRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | IRF9Z34 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 19A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 620 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) | |
| Другие имена | IRF9Z34NSTRLPBFCT IRF9Z34NSTRLPBF-ND IRF9Z34NSTRLPBFTR SP001554544 IRF9Z34NSTRLPBFDKR |
In stock Нужно больше?
0,75410 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFR9024NTRPBFInfineon Technologies
OPA2171AIDRTexas Instruments- IRFR5505TRPBFInfineon Technologies
IRF5305STRLPBFInfineon Technologies- IRF9Z34NSTRRPBFInfineon Technologies
- AUIRF4905SInfineon Technologies
- IRF4905STRLPBFInfineon Technologies
FT232RL-REELFTDI, Future Technology Devices International Ltd
IRF9Z34STRLPBFVishay Siliconix- FQD17P06TMonsemi
- IRF9Z24NSTRLPBFInfineon Technologies
INA168QDBVRQ1Texas Instruments