IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
НОВА часть #:
312-2281085-IRF5305STRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF5305STRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | IRF5305 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 31A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1200 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | |
| Другие имена | IRF5305STRLPBFCT IRF5305STRLPBF-ND IRF5305STRLPBFDKR IRF5305STRLPBFTR SP001564840 |
In stock Нужно больше?
1,08350 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FAN3278TMXonsemi
SN74HCT244DWRTexas Instruments
IRF530NSTRLPBFInfineon Technologies
24LC1025-I/SNMicrochip Technology
MMBT3906-7-FDiodes Incorporated- AUIRF4905SInfineon Technologies
IRF540STRLPBFVishay Siliconix
MMDT5551-7-FDiodes Incorporated
ULN2803ADWRTexas Instruments- IRF4905STRLPBFInfineon Technologies
IRF5305PBFInfineon Technologies- IRF540NSTRLPBFInfineon Technologies
APTL3216SECKKingbright
