IRF9Z24NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
НОВА часть #:
312-2291659-IRF9Z24NSTRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF9Z24NSTRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 55 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | IRF9Z24 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 7.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | |
| Другие имена | IRF9Z24NSTRLPBF-ND IRF9Z24NSTRLPBFTR IRF9Z24NSTRLPBFCT IRF9Z24NSTRLPBFDKR 2156-IRF9Z24NSTRLPBF SP001554552 INFINFIRF9Z24NSTRLPBF |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
219-12MSTCTS Electrocomponents
IRF9Z24SPBFVishay Siliconix
IRF5305STRLPBFInfineon Technologies
FA-238 16.0000MB-C3EPSON- AUIRF4905SInfineon Technologies
G5LE-14 DC24Omron Electronics Inc-EMC Div
NCS20071SN2T1Gonsemi- IRF9Z24STRRPBFVishay Siliconix
- IRLZ24NSTRLPBFInfineon Technologies
- IRF4905STRLPBFInfineon Technologies
- IRF9Z34NSTRLPBFInfineon Technologies
