IRF9Z34STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288490-IRF9Z34STRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF9Z34STRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | IRF9Z34 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 11A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1100 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | |
| Другие имена | IRF9Z34STRLPBFTR IRF9Z34STRLPBFCT IRF9Z34STRLPBFDKR IRF9Z34STRLPBF-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AUIRF5210STRLInfineon Technologies
FQD11P06TMonsemi
FQB27P06TMonsemi- IRF4905STRLPBFInfineon Technologies
IRF9Z34SPBFVishay Siliconix- IRF9Z34NSTRLPBFInfineon Technologies
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and Storage- FQB34P10TMonsemi
NTB25P06T4Gonsemi
