IRFR5505TRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D-Pak
Базовый номер продукта	IRFR5505
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	18A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	55 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	650 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	57W (Tc)
Другие имена	IRFR5505TRPBF-ND IRFR5505PBFDKR *IRFR5505TRPBF IRFR5505PBFCT IRFR5505PBFTR SP001573294 IRFR5505TRPBFTR-ND