FDMS86200
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2263213-FDMS86200
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86200
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.6A (Ta), 35A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9.6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2715 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86200DKR FDMS86200TR FDMS86200CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMS86250onsemi
LM5050MK-1/NOPBTexas Instruments
KSZ9021RNMicrochip Technology
BSZ097N04LSGATMA1Infineon Technologies
BSC190N15NS3GATMA1Infineon Technologies- BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies
B140-13-FDiodes Incorporated
B360A-13-FDiodes Incorporated- FDMS86163Ponsemi
- NTMFS022N15MConsemi
S25FL128SAGNFI001Cypress Semiconductor Corp
NTTFS022N15MConsemi- FDMS86201onsemi