FDMS86201
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2273471-FDMS86201
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86201
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 120 V 11.6A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11.6A (Ta), 49A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 11.6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 120 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2735 pF @ 60 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86201DKR FDMS86201TR FDMS86201CT 2156-FDMS86201-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC190N12NS3GATMA1Infineon Technologies
749020100AWürth Elektronik
CC-MX-JN58-Z1Digi
EMMC04G-M627-M06UKingston
TPS73433TDDCRQ1Texas Instruments- BSC077N12NS3GATMA1Infineon Technologies
FDMS86202ET120onsemi
LTC2875HS8#TRPBFAnalog Devices Inc.
FDMS86200onsemi
BSC0302LSATMA1Infineon Technologies
BC847C,235Nexperia USA Inc.- FDMS86202onsemi
