FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2281814-FDMS86163P
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86163P
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86163 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7.9A (Ta), 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4085 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86163PDKR FDMS86163PTR FDMS86163PCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
206-4RASTCTS Electrocomponents
ITS711L1FUMA1Infineon Technologies
150060VS75000Würth Elektronik
FDMS86263Ponsemi
SI7489DP-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMC86139Ponsemi
ST3485EBDRSTMicroelectronics
MIC2937A-3.3WU-TRMicrochip Technology
SIR871DP-T1-GE3Vishay Siliconix
EASV2010BRA0Everlight Electronics Co Ltd
NVMFS5113PLT1Gonsemi
BSS84T116Rohm Semiconductor
