MCB130N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
НОВА часть #:
312-2279538-MCB130N10Y-TP
Производитель:
Номер детали производителя:
MCB130N10Y-TP
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Micro Commercial Co | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | MCB130 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 130A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 101.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6124.6 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 192W (Tc) | |
| Другие имена | MCB130N10Y-TPMSDKR MCB130N10Y-TPMSTR MCB130N10Y-TPMSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFS4010TRLPBFInfineon Technologies
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and Storage
ATP304-TL-Honsemi- PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.
STH150N10F7-2STMicroelectronics
MCAC90N10Y-TPMicro Commercial Co
NTBS2D7N06M7onsemi
PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.
RJ1P12BBDTLLRohm Semiconductor
PSMN7R0-100BS,118NXP Semiconductors
SUM70060E-GE3Vishay Siliconix
NTB004N10Gonsemi- BUK965R8-100E,118Nexperia USA Inc.
- IRFS4310ZTRLPBFInfineon Technologies
