STH150N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
НОВА часть #:
312-2306100-STH150N10F7-2
Производитель:
Номер детали производителя:
STH150N10F7-2
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | H2Pak-2 | |
| Базовый номер продукта | STH150 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 110A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 55A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8115 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 250W (Tc) | |
| Другие имена | 497-14979-1 -497-14979-6 497-14979-2 497-14979-6 -497-14979-2 -497-14979-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
74LVC1G02GW-Q100125NXP USA Inc.
FDB047N10onsemi
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and Storage
PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.
SN74LVC3G17DCTRTexas Instruments
PDZ10BGWXNexperia USA Inc.
RJ1P12BBDTLLRohm Semiconductor
INA240A1DRTexas Instruments
MCB130N10Y-TPMicro Commercial Co
PSMN7R0-100BS,118NXP Semiconductors
STH240N10F7-2STMicroelectronics- IPB042N10N3GATMA1Infineon Technologies
FAN7392MXonsemi
BAV99S_R1_00001Panjit International Inc.
