NTB004N10G
MOSFET N-CH 100V 201A TO263
НОВА часть #:
312-2283367-NTB004N10G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTB004N10G
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 201A (Ta) 340W (Tc) Surface Mount D²PAK-3 (TO-263-3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK-3 (TO-263-3) | |
| Базовый номер продукта | NTB004 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 201A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 175 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11900 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 340W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTB004N10GTR 488-NTB004N10GDKR 488-NTB004N10GCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRF100S201Infineon Technologies- PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.
FDB035N10Aonsemi
MCB130N10Y-TPMicro Commercial Co
CSD19535KTTTTexas Instruments
SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix- CSD19536KTTTexas Instruments
- CSD19536KTTTTexas Instruments