PSMN3R3-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
НОВА часть #:
312-2263287-PSMN3R3-80BS,118
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN3R3-80BS,118
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | PSMN3R3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 111 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8161 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 306W (Tc) | |
| Другие имена | PSMN3R380BS118 568-9478-6 568-9478-6-ND 568-9478-2-ND 568-9478-1-ND 934065177118 1727-7108-6 1727-7108-2 568-9478-1 568-9478-2 1727-7108-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IPB020NE7N3GATMA1Infineon Technologies
- IRF3808STRLPBFInfineon Technologies
- PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.
- MCB130N10Y-TPMicro Commercial Co
- FDB024N08BL7onsemi
- FDB86366-F085onsemi
- BUK964R7-80E,118Nexperia USA Inc.
- BUK964R2-80E,118Nexperia USA Inc.






