RJ1P12BBDTLL

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	LPTL
Базовый номер продукта	RJ1P12
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	120A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4170 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	178W (Tc)
Другие имена	RJ1P12BBDTLLTR RJ1P12BBDTLLCT RJ1P12BBDTLLDKR