SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2280768-SIR610DP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR610DP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 35.4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR610 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | ThunderFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1380 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 104W (Tc) | |
| Другие имена | SIR610DP-T1-RE3CT SIR610DP-T1-RE3DKR SIR610DP-T1-RE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ACS71020KMABTR-030B3-SPIAllegro MicroSystems
BSC220N20NSFDATMA1Infineon Technologies
TS10K40-A D3GTaiwan Semiconductor Corporation
AP3301K6TR-G1Diodes Incorporated
TLV9001IDBVRTexas Instruments
BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies
AS431ANTR-G1Diodes Incorporated
SIDR610DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SN74LVC1G08DBVRTexas Instruments
SQ2325ES-T1_GE3Vishay Siliconix
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
LT3761IMSE#PBFAnalog Devices Inc.- DS90LT012AQMF/NOPBTexas Instruments
TLV9062IDRTexas Instruments
