SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2281483-SIR870ADP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR870ADP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR870 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2866 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | SIR870ADP-T1-GE3TR SIR870ADP-T1-GE3CT SIR870ADP-T1-GE3DKR SIR870ADPT1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LT6657BHMS8-5#PBFAnalog Devices Inc.
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
TLV1704AIPWRTexas Instruments
TPS3422EGDRYTTexas Instruments
SIR870DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR870ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
SQJ457EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SIR846DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BZT52C15T-7Diodes Incorporated
FDMS86101DConsemi
