SQJQ410EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
НОВА часть #:
312-2279731-SQJQ410EL-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJQ410EL-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 135A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Базовый номер продукта | SQJQ410 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 135A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 8 x 8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7350 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | SQJQ410EL-T1_GE3CT SQJQ410EL-T1_GE3DKR SQJQ410EL-T1_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJQ480E-T1_GE3Vishay Siliconix
SIJH112E-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJ409EP-T1_GE3Vishay Siliconix
FDWS86068-F085onsemi
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay Siliconix
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix
J115F21CH12VDCS61.5UCIT Relay and Switch- BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies- SQJQ466E-T1_GE3Vishay Siliconix
