PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
НОВА часть #:
312-2296301-PMPB08R4VPX
Производитель:
Номер детали производителя:
PMPB08R4VPX
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DFN2020MD-6 | |
| Базовый номер продукта | PMPB08 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Ta) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 12A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-UDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2200 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-PMPB08R4VPXTR 1727-PMPB08R4VPXDKR 1727-PMPB08R4VPXCT 934661979115 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SSM6J511NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
DMP1009UFDF-7Diodes Incorporated
M24C32-FMC6TGSTMicroelectronics- SSM6J505NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
PMPB14XNXNexperia USA Inc.
DMN1019UVT-7Diodes Incorporated
FDMA908PZonsemi
AON6558Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FDMA905Ponsemi
MCM1216A-TPMicro Commercial Co
