DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
НОВА часть #:
312-2284992-DMN1019UVT-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN1019UVT-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 12 V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TSOT-23 | |
| Базовый номер продукта | DMN1019 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 800mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50.4 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2588 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.73W (Ta) | |
| Другие имена | DMN1019UVT-7DIDKR DMN1019UVT-7DICT DMN1019UVT-7DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN1004UFV-7Diodes Incorporated
RT9069-50GBRichtek USA Inc.
SI2342DS-T1-GE3Vishay Siliconix
LM66100DCKRTexas Instruments
CM315D32768EZFTCitizen Finedevice Co Ltd
DMN1019USN-7Diodes Incorporated
ST25R3917-AQWTSTMicroelectronics
DMN1019UFDE-7Diodes Incorporated
APBD3224LSURKCGKCKingbright
AON6558Alpha & Omega Semiconductor Inc.
S-1313D33-M5T1U3ABLIC U.S.A. Inc.
