SSM6J505NU,LF
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
НОВА часть #:
312-2285016-SSM6J505NU,LF
Производитель:
Номер детали производителя:
SSM6J505NU,LF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-UDFNB (2x2) | |
| Базовый номер продукта | SSM6J505 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVI | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-WDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±6V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2700 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta) | |
| Другие имена | SSM6J505NU,LF(T SSM6J505NU,LF(B SSM6J505NULFDKR SSM6J505NULF SSM6J505NULFCT SSM6J505NULFTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SSM6J511NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
AD8226BRMZAnalog Devices Inc.
US6J11TRRohm Semiconductor
T520V337M006ATE015KEMET- SSM6J501NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
MAX9650ATA+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
SSM6P40TU,LFToshiba Semiconductor and Storage- AD8226BRMZ-R7Analog Devices Inc.
QS5K2TRRohm Semiconductor
FDMA905Ponsemi
R3112N271A-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.
