PMPB14XNX
MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6
НОВА часть #:
312-2264912-PMPB14XNX
Производитель:
Номер детали производителя:
PMPB14XNX
Стандартный пакет:
3,000
N-Channel 40 V 8.1A (Ta) 3.8W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DFN2020MD-6 | |
| Базовый номер продукта | PMPB14 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.1A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-UDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1625 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 12.5W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-PMPB14XNXCT 1727-PMPB14XNXTR 1727-PMPB14XNXDKR 934660519115 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SSM6K514NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
PMPB10XNXNexperia USA Inc.
DMN62D1LFB-7BDiodes Incorporated
PMEG60T30ELRXNexperia USA Inc.- PMPB08R4VPXNexperia USA Inc.
SI2318CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
DMN1019UVT-7Diodes Incorporated- BUK6D30-40EXNexperia USA Inc.
AON6558Alpha & Omega Semiconductor Inc.
