FQT2P25TF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4

НОВА часть #:

312-2285436-FQT2P25TF

Производитель:

Номер детали производителя:

FQT2P25TF

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

P-Channel 250 V 550mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223-4
Базовый номер продукта	FQT2P25
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	550mA (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 275mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	8.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	250 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	250 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Tc)
Другие имена	FQT2P25TFTR FQT2P25TFDKR FQT2P25TFCT FQT2P25TF-ND