FQT3P20TF
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
НОВА часть #:
312-2282184-FQT3P20TF
Производитель:
Номер детали производителя:
FQT3P20TF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
P-Channel 200 V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223-4 | |
| Базовый номер продукта | FQT3P20 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 670mA (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 335mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 250 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Tc) | |
| Другие имена | FQT3P20TFCT FQT3P20TFTR FQT3P20TF-ND FQT3P20TFDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SS24FLonsemi
1SMB5919BT3Gonsemi
BSP317PH6327XTSA1Infineon Technologies
DMN5L06K-7Diodes Incorporated
FQT3P20TF_SB82100Fairchild Semiconductor
NDT2955onsemi
S1MSWFQ-7Diodes Incorporated
RTQ020N03TRRohm Semiconductor- FQT2P25TFonsemi
- NDT456Ponsemi
DMP45H21DHE-13Diodes Incorporated
IRLM220ATFonsemi
