FQT5P10TF
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
НОВА часть #:
312-2281100-FQT5P10TF
Производитель:
Номер детали производителя:
FQT5P10TF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223-4 | |
| Базовый номер продукта | FQT5P10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 250 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Tc) | |
| Другие имена | FQT5P10TF-ND FQT5P10TFCT ONSFSCFQT5P10TF FQT5P10TFTR FQT5P10TFDKR 2156-FQT5P10TF-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SMAZ12-13-FDiodes Incorporated
- AT24CS64-SSHM-TMicrochip Technology
- FDN337Nonsemi
- SN74LVC1G17DCKRTexas Instruments
- FQT2P25TFonsemi
- KSZ8041NLI-TRMicrochip Technology
- ULN2803ADWRTexas Instruments
- BSP321PH6327XTSA1Infineon Technologies
- FSV10100Vonsemi
- BSP322PH6327XTSA1Infineon Technologies
- IRFL9110TRPBFVishay Siliconix
- FDB33N25TMonsemi











