BSP321PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
НОВА часть #:
312-2279364-BSP321PH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSP321PH6327XTSA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 980mA (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-4 | |
| Базовый номер продукта | BSP321 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SIPMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 980mA (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 980mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 380µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 319 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta) | |
| Другие имена | 448-BSP321PH6327XTSA1TR 448-BSP321PH6327XTSA1DKR 448-BSP321PH6327XTSA1CT BSP321PH6327XTSA1-ND SP001058782 2156-BSP321PH6327XTSA1 INFINFBSP321PH6327XTSA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- PXP400-100QSJNexperia USA Inc.
- BSP170PH6327XTSA1Infineon Technologies
- FQT5P10TFonsemi
- NDT2955onsemi
- SIHFL9110TR-GE3Vishay Siliconix
- FQT2P25TFonsemi
- BSP316PH6327XTSA1Infineon Technologies
- PXP1500-100QSJNexperia USA Inc.
- BSP322PH6327XTSA1Infineon Technologies
- IRFL9110TRPBFVishay Siliconix




