SIHFL9110TR-GE3
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
НОВА часть #:
312-2299364-SIHFL9110TR-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIHFL9110TR-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 | |
| Базовый номер продукта | SIHFL9110 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 660mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 200 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FQT5P10TFonsemi- FQT2P25TFonsemi
BSP321PH6327XTSA1Infineon Technologies- IRFL9110TRPBFVishay Siliconix
