BUK768R1-100E,118
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288703-BUK768R1-100E,118
Производитель:
Номер детали производителя:
BUK768R1-100E,118
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | BUK768 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7380 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 263W (Tc) | |
| Другие имена | BUK768R1100E118 568-10171-1 568-10171-2 BUK768R1-100E,118-ND 568-10171-6 568-10171-6-ND 568-10171-2-ND 934066472118 568-10171-1-ND 1727-1062-6 1727-1062-2 1727-1062-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- STB120NF10T4STMicroelectronics
- HUF75645S3STonsemi
- MCB130N10Y-TPMicro Commercial Co
- PSMN7R0-100BS,118NXP Semiconductors
- BUK965R8-100E,118Nexperia USA Inc.
- PSMN9R5-100BS,118Nexperia USA Inc.
- PSMN5R6-100BS,118Nexperia USA Inc.
- DMT10H015LK3-13Diodes Incorporated







