NTMFS4C10NT1G
MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
НОВА часть #:
312-2265038-NTMFS4C10NT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMFS4C10NT1G
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 8.2A (Ta) 750mW (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Базовый номер продукта | NTMFS4 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.95mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.7 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 987 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 750mW (Ta), 23.6W (Tc) | |
| Другие имена | NTMFS4C10NT1GOSCT NTMFS4C10NT1GOSTR 2156-NTMFS4C10NT1G-OS ONSONSNTMFS4C10NT1G NTMFS4C10NT1GOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTMFS4C10NT3Gonsemi- NTMFS4937NT1Gonsemi
- NTMFS5C670NLT1Gonsemi
- NTMFS4C13NT1Gonsemi
- NTMFS4935NT1Gonsemi
NTMFS4C10NAT1Gonsemi
CSD17307Q5ATexas Instruments
AO4484Alpha & Omega Semiconductor Inc.
NTTFS4C25NTAGonsemi- NTTFS4985NFTAGonsemi
- NTMFS4C06NT1Gonsemi
- NTTFS4C10NTAGonsemi
DMG7430LFG-7Diodes Incorporated
