NTMFS4935NT1G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
НОВА часть #:
312-2301506-NTMFS4935NT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMFS4935NT1G
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 93A (Tc) 930mW (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Базовый номер продукта | NTMFS4935 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13A (Ta), 93A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 49.4 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4850 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 930mW (Ta), 48W (Tc) | |
| Другие имена | NTMFS4935NT1GOSCT NTMFS4935NT1GOSTR 2156-NTMFS4935NT1G-OS ONSONSNTMFS4935NT1G NTMFS4935NT1GOSDKR NTMFS4935NT1G-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LP5907MFX-3.3/NOPBTexas Instruments
ABM3B-8.000MHZ-10-1-U-TAbracon LLC
DRV8301DCATexas Instruments
AT21CS01-STUM10-TMicrochip Technology- DRV8301DCARTexas Instruments
CSD17307Q5ATexas Instruments
NTMFS4935NT3Gonsemi
LM5109BSD/NOPBTexas Instruments
NTTFS4985NFTAGonsemi
MBR140SFT1Gonsemi- NTMFS4C10NT1Gonsemi
DMG7430LFG-7Diodes Incorporated