NTTFS4C10NTAG
MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
НОВА часть #:
312-2290195-NTTFS4C10NTAG
Производитель:
Номер детали производителя:
NTTFS4C10NTAG
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 8.2A (Ta), 44A (Tc) 790mW (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | NTTFS4 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.2A (Ta), 44A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 993 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 790mW (Ta), 23.6W (Tc) | |
| Другие имена | NTTFS4C10NTAGOSTR NTTFS4C10NTAGOSDKR NTTFS4C10NTAGOSCT 2156-NTTFS4C10NTAG-OS NTTFS4C10NTAG-ND ONSONSNTTFS4C10NTAG |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STUSB4500LQTRSTMicroelectronics
NCS2202SN2T1Gonsemi
NCV4266ST50T3Gonsemi
NVMFD5C462NLT1Gonsemi
STUSB4710AQTRSTMicroelectronics
NVMFS5C673NLAFT1Gonsemi
NCV303LSN25T1Gonsemi
NTJS3157NT1Gonsemi
NCP45524IMNTWG-Honsemi
FDY4000CZonsemi
STUSB4500LBJRSTMicroelectronics
NVTFS5116PLTAGonsemi- NTTFS4C10NTWGonsemi
- NCV551SN33T1Gonsemi
- NTMFS4C10NT1Gonsemi
