NTTFS4C25NTAG
MOSFET N-CH 30V 5A/27A 8WDFN
НОВА часть #:
312-2299623-NTTFS4C25NTAG
Производитель:
Номер детали производителя:
NTTFS4C25NTAG
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 5A (Ta), 27A (Tc) 690mW (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | NTTFS4 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5A (Ta), 27A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 500 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 690mW (Ta), 20.2W (Tc) | |
| Другие имена | NTTFS4C25NTAGOSDKR NTTFS4C25NTAG-ND 2156-NTTFS4C25NTAG-OS NTTFS4C25NTAGOSTR NTTFS4C25NTAGOSCT ONSONSNTTFS4C25NTAG |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MMBT3904LP-7Diodes Incorporated
T520B337M006ATE040KEMET
BAS70W-05-7-FDiodes Incorporated
SN74LV1T125DCKRTexas Instruments
DMN26D0UFB4-7Diodes Incorporated
NTTFS4C06NTAGonsemi
NTJD4001NT1Gonsemi
DMG7430LFG-7Diodes Incorporated