STB43N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
НОВА часть #:
312-2283609-STB43N65M5
Производитель:
Номер детали производителя:
STB43N65M5
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | STB43 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 42A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 21A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4400 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 250W (Tc) | |
| Другие имена | 497-16299-6 497-16299-2 497-16299-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon Technologies
STB45N65M5STMicroelectronics
NVB072N65S3onsemi
STB30N65DM6AGSTMicroelectronics
IPB60R060C7ATMA1Infineon Technologies- STB38N65M5STMicroelectronics
- NVB082N65S3Fonsemi
- STB42N65M5STMicroelectronics
- STB57N65M5STMicroelectronics
- IPB60R040CFD7ATMA1Infineon Technologies
- IPB65R065C7ATMA2Infineon Technologies
NTB082N65S3Fonsemi- FCB070N65S3onsemi
