NVB082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
НОВА часть #:
312-2361499-NVB082N65S3F
Производитель:
Номер детали производителя:
NVB082N65S3F
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK-3 (TO-263-3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK-3 (TO-263-3) | |
| Базовый номер продукта | NVB082 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 4mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3410 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 313W (Tc) | |
| Другие имена | NVB082N65S3FOSDKR NVB082N65S3FOSCT NVB082N65S3F-ND NVB082N65S3FOSTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVB072N65S3onsemi
STB43N65M5STMicroelectronics- STB57N65M5STMicroelectronics
NTB082N65S3Fonsemi- NTB095N65S3HFonsemi
