IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
НОВА часть #:
312-2264873-IPB65R065C7ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB65R065C7ATMA2
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 | |
| Базовый номер продукта | IPB65R065 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ C7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 33A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 17.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 200µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3020 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 171W (Tc) | |
| Другие имена | SP002447554 IPB65R065C7ATMA2CT IPB65R065C7ATMA2DKR IPB65R065C7ATMA2TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STB45N65M5STMicroelectronics- STB43N65M5STMicroelectronics
FCB070N65S3onsemi
