STB42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
НОВА часть #:
312-2273404-STB42N65M5
Производитель:
Номер детали производителя:
STB42N65M5
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | STB42 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ V | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 33A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 16.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4650 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 190W (Tc) | |
| Другие имена | -760-STB42N65M5TR-ND -1138-STB42N65M5CT 497-STB42N65M5DKR 497-8769-6-ND -1138-STB42N65M5TR 497-8769-1 497-8769-2 497-8769-2-ND 497-8769-6 -1138-STB42N65M5-ND 497-STB42N65M5TR 497-8769-1-ND 497-STB42N65M5CT -760-STB42N65M5TR -1138-STB42N65M5 -1138-STB42N65M5DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- STB45N65M5STMicroelectronics
- NVB072N65S3onsemi
- STB43N65M5STMicroelectronics
- STB37N60DM2AGSTMicroelectronics
- STB57N65M5STMicroelectronics
- SIHB105N60EF-GE3Vishay Siliconix




