IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2
НОВА часть #:
312-2263498-IPB60R040CFD7ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB60R040CFD7ATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3-2 | |
| Базовый номер продукта | IPB60R040 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ CFD7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 24.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 1.25mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4351 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 227W (Tc) | |
| Другие имена | SP002621056 448-IPB60R040CFD7ATMA1DKR 448-IPB60R040CFD7ATMA1CT 448-IPB60R040CFD7ATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon Technologies
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon Technologies
UJ3C065030B3UnitedSiC
MSC035SMA070SMicrochip Technology
MSC015SMA070SMicrochip Technology
IPB60R060C7ATMA1Infineon Technologies
IPB65R041CFD7ATMA1Infineon Technologies- IPB60R040C7ATMA1Infineon Technologies
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon Technologies
IPDD60R055CFD7XTMA1Infineon Technologies
PSMN1R7-60BS,118Nexperia USA Inc.- IPB60R045P7ATMA1Infineon Technologies
- UF3C065030B3UnitedSiC
