BSC0302LSATMA1
MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
НОВА часть #:
312-2313761-BSC0302LSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC0302LSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 120 V 12A (Ta), 99A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-7 | |
| Базовый номер продукта | BSC0302 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Ta), 99A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 112µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 79 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 120 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7400 pF @ 60 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 156W (Tc) | |
| Другие имена | SP004486450 448-BSC0302LSATMA1DKR 448-BSC0302LSATMA1CT 448-BSC0302LSATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC190N12NS3GATMA1Infineon Technologies
CA0612KRNPO9BN221YAGEO
CMOD3003 TR PBFREECentral Semiconductor Corp- BSC077N12NS3GATMA1Infineon Technologies
FDMS86202ET120onsemi
DMT12H007LPS-13Diodes Incorporated
SIR570DP-T1-RE3Vishay Siliconix- FDMS86202onsemi
FDMS86201onsemi
NTMFS006N12MCT1Gonsemi
DI100N10PQDiotec Semiconductor
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies- BSC0703LSATMA1Infineon Technologies
