BSC0703LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON
НОВА часть #:
312-2312588-BSC0703LSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC0703LSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 15A (Ta), 64A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-6 | |
| Базовый номер продукта | BSC0703 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 15A (Ta), 64A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 32A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 20µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1800 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 46W (Tc) | |
| Другие имена | 448-BSC0703LSATMA1DKR SP001614022 448-BSC0703LSATMA1CT 448-BSC0703LSATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSZ0702LSATMA1Infineon Technologies
STL30P3LLH6STMicroelectronics
IAUZ30N06S5L140ATMA1Infineon Technologies- BSC014N04LSIATMA1Infineon Technologies
BSZ040N06LS5ATMA1Infineon Technologies
BSC0704LSATMA1Infineon Technologies- BSC094N06LS5ATMA1Infineon Technologies
MMSZ5240C-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division- BSC065N06LS5ATMA1Infineon Technologies
SMAJ4746A-TPMicro Commercial Co- BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
MBR1560STRSMC Diode Solutions