SIDR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
НОВА часть #:
312-2279728-SIDR622DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIDR622DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 64.6A (Ta), 56.7A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8DC | |
| Базовый номер продукта | SIDR622 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 64.6A (Ta), 56.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.7mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1516 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | |
| Другие имена | SIDR622DP-T1-GE3DKR SIDR622DP-T1-GE3CT SIDR622DP-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR610DP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies- SI7846DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIDR668DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR872DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SIDR610DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIR622DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR570DP-T1-RE3Vishay Siliconix- SIR668DP-T1-RE3Vishay Siliconix
- SIR622DP-T1-RE3Vishay Siliconix
DI110N15PQDiotec Semiconductor