DI110N15PQ
MOSFET N-CH 150V 110A 8QFN
НОВА часть #:
312-2361415-DI110N15PQ
Производитель:
Номер детали производителя:
DI110N15PQ
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 110A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount 8-QFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diotec Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-QFN (5x6) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 110A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 77 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4700 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 56W (Tc) | |
| Другие имена | 2721-DI110N15PQ 2721-DI110N15PQTR 2796-DI110N15PQTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC110N15NS5ATMA1Infineon Technologies- BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies
IPT059N15N3ATMA1Infineon Technologies
SIDR622DP-T1-GE3Vishay Siliconix- BSC093N15NS5ATMA1Infineon Technologies
IRFS4115TRL7PPInternational Rectifier
