SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
НОВА часть #:
312-2263257-SIDR668DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIDR668DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8DC | |
| Базовый номер продукта | SIDR668 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 23.2A (Ta), 95A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5400 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | |
| Другие имена | SIDR668DP-T1-GE3DKR SIDR668DP-T1-GE3TR SIDR668DP-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIR846BDP-T1-RE3Vishay Siliconix
MAX31790ATI+Analog Devices Inc./Maxim Integrated- SIR680ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
MMBT3906-7-FDiodes Incorporated
SX1509BIULTRTSemtech Corporation
TPS3840DL40DBVRTexas Instruments
LTC4360ISC8-1#TRMPBFAnalog Devices Inc.
SIR668DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIDR170DP-T1-RE3Vishay Siliconix
