PSMN2R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2281817-PSMN2R0-30YL,115
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN2R0-30YL,115
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 97W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | PSMN2R0 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.15V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3980 pF @ 12 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 97W (Tc) | |
| Другие имена | 568-4679-1 568-4679-2 934063069115 PSMN2R0-30YL T/R 1727-4163-6 1727-4163-1 1727-4163-2 568-4679-6-ND 568-4679-1-ND 568-4679-2-ND 568-4679-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TLV75733PDBVRTexas Instruments
NVMYS014N06CLTWGonsemi- NVMYS3D3N06CLTWGonsemi
PSMN4R0-30YLDXNexperia USA Inc.
CZRB5352B-HFComchip Technology- PSMN0R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.
ACZRC5361B-GComchip Technology- PSMN1R5-25YL,115Nexperia USA Inc.
RS3G160ATTB1Rohm Semiconductor- TLV4041R5DBVRTexas Instruments
- PSMN1R0-30YLDXNexperia USA Inc.
- PSMN1R1-25YLC,115Nexperia USA Inc.
- PSMN2R0-30YLDXNexperia USA Inc.