NVMYS014N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
НОВА часть #:
312-2290347-NVMYS014N06CLTWG
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMYS014N06CLTWG
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK4 (5x6) | |
| Базовый номер продукта | NVMYS014 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Ta), 36A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 25µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-1023, 4-LFPAK | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 620 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 37W (Tc) | |
| Другие имена | NVMYS014N06CLTWGOSTR NVMYS014N06CLTWGOS NVMYS014N06CLTWGOS-ND NVMYS014N06CLTWGOSCT NVMYS014N06CLTWGOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PSMN2R0-30YL,115Nexperia USA Inc.
BAS21HMFHT116Rohm Semiconductor
NVMYS3D3N06CLTWGonsemi
SS5P6HM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division
NTMFS5C670NLT1Gonsemi- NVMYS025N06CLTWGonsemi
LTC7061EMSE#PBFAnalog Devices Inc.
BZX84-A9V1,215Nexperia USA Inc.- 2N7002NXAKRNexperia USA Inc.
SST4401HZGT116Rohm Semiconductor
IPB80P04P4L06ATMA2Infineon Technologies
SS1H10HE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes Division
